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KSM3N90	文件：1.95366 Mbytes Page：7 Pages	900VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
RMP3N90IP	文件：622.61 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability 100%AvalancheTested ROHScompliant Halogen-free Improveddv/dtcapability	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RMP3N90LD	文件：622.61 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowCrss Lowgatecharge Fastswitching ImprovedESDcapability 100%AvalancheTested ROHScompliant Halogen-free Improveddv/dtcapability	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SSI3N90A	文件：274.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP3N90A	文件：280.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSP3N90A	文件：260.57 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:25μA(Max.)@VDS=900V ■LowRDS(ON):4.679Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSS3N90A	文件：187.12 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SSU3N90A	文件：345.72 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SSW3N90A	文件：349.16 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SW3N90U	文件：399.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TSM3N90CP ROG
功能描述：
MOSFET 900V 3A N Channel Power Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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