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TSM4410DCS	文件：359.7 Kbytes Page：6 Pages	25V Dual N-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4410DCSRL	文件：164.04 Kbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4410DCSRL	文件：128.46 Kbytes Page：6 Pages	25V Dual N-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
UT4410	文件：224.17 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL30-V(D-S)MOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UTR4410	文件：157.96 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS RECTIFIERS FastRecovery,6Ampto9Amp	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
VDA4410CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA4410NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
WSP4410	文件：856.62 Kbytes Page：5 Pages	N-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半导体微硕半导体（深圳）有限公司	WIINSOK
WT4410M	文件：458.96 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features: *SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON) RDS(ON)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
ZMOD4410	文件：1.27519 Mbytes Page：26 Pages	GasSensorModuleforTVOCandIndoorAirQuality SensoroutputbasedonAImachinelearningalgorithmic: •Absolutemeasurementoftotalorganiccompounds(TVOC)concentrationsandindoorairquality(IAQ) •Estimatedcarbondioxidelevel(eCO2) •RelativecontrolsignaltotriggeranexternalactionbasedonIAQandodorchange •Algorith	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
TSM4410DCS
功能描述：
MOSFET Dual 25V N channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TSM4410DCS供应商更新时间2025-7-25 16:21:00

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