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TSM3N80	文件：526.66 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：526.66 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80CIC0	文件：2.35623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.35623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM3N80_13	文件：573.29 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：573.29 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80CHC5G	文件：526.66 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：526.66 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80CIC0	文件：526.66 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：526.66 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSM3N80CZC0	文件：526.66 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：526.66 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80CI	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM3N80CP	文件：300 bytes Page：1 Pages	800V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
800
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
3
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
4200
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
3300
Qg (nC) @ 10V：
19
Qgd (nC)：
7.6
Qgs (nC)：
4
Ciss (pF)：
696
Coss (pF)：
65
Crss (pF)：
10.2
VGS(th) Max. (V)：
4
VGS(th) Min. (V)：
2

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