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TSM3N80CP

800V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM3N80CPROG

800V N-Channel Power MOSFET

文件:526.66 Kbytes 页数:12 Pages

TSC

台湾半导体

3N80

2.5 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 3N80provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. FEATURES * RDS(ON)=3.8Ω@VGS=10 V * Ultra Low Gate Charge ( typical 19 nC ) * Low Reverse Transfer

文件:200.25 Kbytes 页数:6 Pages

UTC

友顺

3N80

3 Amps, 800 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:210.29 Kbytes 页数:6 Pages

UTC

友顺

3N80

N-Channel Power MOSFET

文件:398.32 Kbytes 页数:8 Pages

NELLSEMI

尼尔半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    800

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    3

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    4200

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    3300

  • Qg (nC) @ 10V:

    19

  • Qgd (nC):

    7.6

  • Qgs (nC):

    4

  • Ciss (pF):

    696

  • Coss (pF):

    65

  • Crss (pF):

    10.2

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    4

  • VGS(th) Min. (V):

    2

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