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TSM3N80CIC0	文件：2.35623 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：2.35623 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TSM3N80CIC0	文件：526.66 Kbytes Page：12 Pages	800V N-Channel Power MOSFET 文件：526.66 Kbytes 页数：12 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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更多TSM3N80CIC0供应商更新时间2025-10-4 14:02:00