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TSM160N10	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel Power MOSFET 文件：486.78 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160N10CZC0	文件：486.78 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel Power MOSFET 文件：486.78 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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TSM160P02	文件：332.11 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：332.11 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160P02CSRLG	文件：332.11 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：332.11 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160P04LCRH	文件：325.23 Kbytes Page：6 Pages	P-Channel Power MOSFET 文件：325.23 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM16ND50CI	文件：263.52 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 500V, 16A, 0.35廓文件：263.52 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160N10CZ	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V, 160A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM160N10LCR	文件：300 bytes Page：1 Pages	100V, 46A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
100
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
160
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
5.5
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
4.5
Qg (nC) @ 10V：
154
Qgd (nC)：
40
Qgs (nC)：
35
Ciss (pF)：
9840
Coss (pF)：
750
Crss (pF)：
260
VGS(th) Max. (V)：
4
VGS(th) Min. (V)：
2
VGS(th) Typ. (V)：
3

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