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UNR111F	文件：354.68 Kbytes Page：14 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartransistor Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR111H	文件：354.68 Kbytes Page：14 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartransistor Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR111L	文件：354.68 Kbytes Page：14 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartransistor Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR111T	文件：130.949 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPN,PNPepitaxialplanartype(Tr1,2) SiliconNPNepitaxialplanartype(Tr1) SiliconPNPepitaxialplanartype(Tr2) Fordigitalcircuits ■Features •Twoelementsincorporatedintoonepackage(Transistorswithbuilt-inresistor) •Reductionofthemountingareaandassemblycostbyonehalf	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNR111X	文件：354.68 Kbytes Page：14 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertransistor SiliconPNPepitaxialplanartransistor Fordigitalcircuits ■Features •Costscanbereducedthroughdownsizingoftheequipmentand reductionofthenumberofparts •Mtypepackageallowingeasyautomaticandmanualinsertionas wellasstand-alonefixingtotheprintedcircuitboa	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UNRL111	文件：126.97 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPepitaxialplanertype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
UZ111	文件：115.95 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glassmetallurgicallybonded3wattzenerdiodes. FEATURES •10TimesGreaterSurgeRatingthanConventional1WattTypes •SmallPhsicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ111	文件：245.75 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS3WATT	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UZ111	文件：120.89 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS3Watt	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VCO-111	文件：137.78 Kbytes Page：1 Pages	NominalOperatingParameters	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

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产品属性

产品编号：
TSM111CD
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 监控器
包装：
管件
类型：
多压监控器
电压 - 阈值：
4V，6.1V，14.2V
复位超时：
最小为 100ms
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
20-SO
描述：
IC SUPERVISOR 3 CHANNEL 20SO

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