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STGP10NC60HD	文件：771.12 Kbytes Page：19 Pages	600V-10A-veryfastIGBT Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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STGP10NC60HD

文件：453.39 Kbytes

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N-channel600V-10A-TO-220-D2PAKVeryfastPowerMESHTMIGBT

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意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

STGP10NC60HD

文件：771.12 Kbytes

Page：19 Pages

600V-10A-veryfastIGBT

Description ThisIGBTutilizestheadvancedPowerMESH™ processresultinginanexcellenttrade-off betweenswitchingperformanceandlowon-state behavior. Features ■Lowon-voltagedrop(VCE(sat)) ■LowCRES/CIESratio(nocross-conduction susceptibility) ■Verysoftultrafastrecov

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

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技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
600
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
10
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
750
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
670
Qg (nC) @ 10V：
33
Qgd (nC)：
12
Qgs (nC)：
10
Ciss (pF)：
1652
Coss (pF)：
92
Crss (pF)：
11
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5
VGS(th) Typ. (V)：
3.4

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