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TSHA6202	文件：109.87 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode DESCRIPTION The TSHA620. series are infrared, 875 nm emitting diodes in GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: λp = 875 nm • High reliability • Angle of half intensity 文件：109.87 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：107.5 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs DESCRIPTION The TSHA620. series are infrared, 875 nm emitting diodes in GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: λp = 875 nm • High reliability • Angle of half inten 文件：107.5 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：108.21 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：108.21 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：87.93 Kbytes Page：6 Pages	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–13/4) Package 文件：87.93 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：122.17 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 文件：122.17 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：115.94 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：115.94 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6202	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division

产品属性

产品编号：
TSHA6202
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
36mW/sr @ 100mA
波长：
875nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.8V
视角：
24°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

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