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TSHG5210	文件：107.1 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSHG5210 is an infrared, 850 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Leads with stand-off • 文件：107.1 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210	文件：107.82 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：107.82 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210	文件：111.64 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：111.64 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210	文件：113.41 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero Package type: leaded\n Package form: T-1¾\n Dimensions (in mm): Ø 5\n\n ;	Vishay 威世	Vishay
TSHG5210	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSHG5210_V02	文件：107.1 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSHG5210 is an infrared, 850 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Leads with stand-off • 文件：107.1 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210_09	文件：113.41 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：113.41 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210_11	文件：109.46 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode 文件：109.46 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
TSHG5210_V01	文件：107.82 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero 文件：107.82 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

产品属性

产品编号：
TSHG5210
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
140mW/sr @ 100mA
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.5V
视角：
20°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL

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更多TSHG5210供应商更新时间2025-11-30 23:00:00

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