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TSHA5203	文件：89.15 Kbytes Page：6 Pages	GaAlAs Infrared Emitting Diodes in ø 5 mm (T–13/4) Package Description The TSHA520. series are high efficiency infrared emitting diodes in GaAlAs on GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. In comparison with the standard GaAs on GaAs technology these high intensity emitters feature about 70 radiant power improvement. Features 文件：89.15 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：107.43 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode Description The TSHA520. series are high efficiency infrared emitting diodes in GaAlAs on GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. In comparison with the standard GaAs on GaAs technology these high intensity emitters feature about 70 radiant power improvement. Features 文件：107.43 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：105.06 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs DESCRIPTION The TSHA520. series are infrared, 875 nm emitting diodes in GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Leads with stand-off • Peak wavelength: λp = 875 nm • High reliabilit 文件：105.06 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：105.78 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：105.78 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：122.99 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 文件：122.99 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：114.26 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：114.26 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSHA5203_V02	文件：105.06 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs DESCRIPTION The TSHA520. series are infrared, 875 nm emitting diodes in GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Leads with stand-off • Peak wavelength: λp = 875 nm • High reliabilit 文件：105.06 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
TSHA5203_V01	文件：105.78 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：105.78 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

产品属性

产品编号：
TSHA5203
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
50mW/sr @ 100mA
波长：
875nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
2.8V
视角：
24°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL

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