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TSFF5510_09

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

文件:106.35 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

TSFF5510_11

High Speed Infrared Emitting Diode

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

TSFF5510_V01

High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

产品属性

  • 产品编号:

    TSFF5510

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    16mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    870nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • 视角:

    76°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 描述:

    EMITTER IR 870NM 100MA RADIAL

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更多TSFF5510供应商 更新时间2026-4-17 13:30:00