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TSHG6210	文件：103.91 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSHG6210isaninfrared,850nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Peakwavelength:λp=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210	文件：110.82 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 850 nm, GaAlAs Double Hetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210	文件：112.73 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TSHG6210	文件：104.63 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSHG6210_V02	文件：103.91 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero DESCRIPTION TSHG6210isaninfrared,850nmemittingdiodeinGaAlAs doublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerand highspeed,moldedinaclear,untintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Peakwavelength:λp=8	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210_09	文件：112.73 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210_11	文件：106.28 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHG6210_V01	文件：104.63 Kbytes Page：5 Pages	High Speed Infrared Emitting Diode, 850 nm, GaAlAs Double Hetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
TSHG6210
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
140mW/sr @ 100mA
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.5V
视角：
20°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 850NM 100MA RADIAL

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