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MBRF30H60CTG	文件：73.45 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier60V,30A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF30H60CTG	文件：170.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRF30H60CTG	文件：167.42 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRJ30H60CTG	文件：170.81 Kbytes Page：10 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
STGB30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB	文件：1.75373 Mbytes Page：21 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DFB	文件：334.79 Kbytes Page：4 Pages	TrenchgateField-StopIGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V@IC=30A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·AutomotiveChargers ·UPS,PFC ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STGB30H60DLFB	文件：1.74476 Mbytes Page：20 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGB30H60DLLFBAG	文件：1.00949 Mbytes Page：17 Pages	Automotive-gradetrenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed Features AEC-Q101qualified Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C Logiclevelgatedrive Highspeedswitchingseries Minimizedtailcurrent VCE(sat)=1.7V(typ.)@IC=30A LowVFsoftrecoveryco-packageddiode Tightparametersdistribution Saferparalleling L	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF30H60DF	文件：1.95033 Mbytes Page：24 Pages	600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
TSF30H60C
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
管件
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
15A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：
ITO-220AB
描述：
DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB

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