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SDURF10H60	文件：158.98 Kbytes Page：2 Pages	10.0AGLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
SDURF10H60	文件：168.69 Kbytes Page：6 Pages	HighSurgeCurrentCapability	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
SDURF10H60	文件：869.36 Kbytes Page：5 Pages	SDURF10H60ULTRAFASTRECTIFIER Applications Antiparalleldiodeforhighfrequency switchingdevices Antisaturationdiode Snubberdiode Freewheelingdiodeinconvertersand motorcontrolcircuits Rectifiersinswitchmodepowersupplies(SMPS) Inductiveheatingandmelting Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Ultraso	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SDURF10H60CT	文件：504.55 Kbytes Page：6 Pages	SDURF10H60CT(CTR)ULTRAFASTRECTIFIER Applications Antiparalleldiodeforhighfrequency switchingdevices Antisaturationdiode Snubberdiode Freewheelingdiodeinconvertersand motorcontrolcircuits Rectifiersinswitchmodepowersupplies(SMPS) Inductiveheatingandmelting Uninterruptiblepowersupplies(UPS) Ultraso	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
SDURF10H60CT	文件：180.44 Kbytes Page：6 Pages	Inductiveheatingandmelting	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属	SMC
SF10H60F	文件：144.3 Kbytes Page：2 Pages	10AmpLowLossUltrafastRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SF10H60F-C	文件：144.3 Kbytes Page：2 Pages	10AmpLowLossUltrafastRectifier	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STGB10H60DF	文件：1.73583 Mbytes Page：24 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,10Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGF10H60DF	文件：1.73583 Mbytes Page：24 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,10Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STGP10H60DF	文件：1.73583 Mbytes Page：24 Pages	Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries600V,10Ahighspeed Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
TSF10H60C
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
5A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商器件封装：
ITO-220AB
描述：
DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB

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