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TSB772	文件：49.4 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882 Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：49.4 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772	文件：225.18 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：225.18 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772	文件：106.32 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：106.32 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CK	文件：49.4 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882 Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：49.4 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772S	文件：54.84 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882S Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCT	文件：54.84 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882S Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772SCY	文件：54.84 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.25 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882S Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：54.84 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772_07	文件：225.18 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：225.18 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772_11	文件：98.62 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：98.62 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Polarity：
PNP
Status：
NRND
AEC-Q：
No
TJ Max. (°C)：
150
IC (A)：
-3
VCEO (V)：
-30
VCBO (V)：
-50
DC Current Gain hFE Min.：
100
DC Current Gain hFE Max.：
500
PD (W)：
1
VCE Sat. (V)：
-0.5
VEBO (V)：
-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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