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TSB772CK	文件：49.4 Kbytes Page：3 Pages	Low Vce(sat) PNP Transistor Features ● Low VCE(SAT) -0.3 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.) ● Complementary part with TSD882 Structure ● Epitaxial Planar Type ● PNP Silicon Transistor 文件：49.4 Kbytes 页数：3 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CKB0	文件：98.62 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：98.62 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CKB0G	文件：98.62 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：98.62 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CKB0G	文件：106.32 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：106.32 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CKC0G	文件：106.32 Kbytes Page：4 Pages	Low Vcesat PNP Transistor 文件：106.32 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CK	文件：300 bytes Page：1 Pages	TO-126, -50V, -3A, PNP Bipolar Transistor	TSC 台湾半导体	TSC
TSB772CK B0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A TO126	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
TSB772CK C0G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-225AA，TO-126-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 30V 3A TO126	Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation

技术参数

Polarity：
PNP
Status：
NRND
AEC-Q：
No
TJ Max. (°C)：
150
IC (A)：
-3
VCEO (V)：
-30
VCBO (V)：
-50
DC Current Gain hFE Min.：
100
DC Current Gain hFE Max.：
500
PD (W)：
1
VCE Sat. (V)：
-0.5
VEBO (V)：
-5

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TSB772CK供应商更新时间2025-10-4 14:14:00

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