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TSB772CK分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TSB772CK

参数属性

TSB772CK 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 3A TO126

功能描述

Low Vce(sat) PNP Transistor
TRANS PNP 30V 3A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

49.4 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

TSC

中文名称

台湾半导体

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更新时间

2025-12-11 9:48:00

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TSB772CK规格书详情

TSB772CK属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由台湾半导体股份有限公司制造生产的TSB772CK晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

● Low VCE(SAT) -0.3 @ IC / IB = 2A / 200mA (Typ.)

● Complementary part with TSD882

Structure

● Epitaxial Planar Type

● PNP Silicon Transistor

产品属性

更多
  • 产品编号:

    TSB772CK C0G

  • 制造商:

    Taiwan Semiconductor Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供应商器件封装:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 3A TO126

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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