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TSAL4400	文件：81.81 Kbytes Page：5 Pages	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰3 mm (T.1) Package DESCRIPTION TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1 • Dimensions (in mm): Ø 3 • Peak wavelength: λp = 940 nm • High reliability • High radiant 文件：81.81 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400	文件：112.24 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1 • Dimensions (in mm): Ø 3 • Peak wavelength: λp = 940 nm • High reliability • High rad 文件：112.24 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400	文件：112.96 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 文件：112.96 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400	文件：110.45 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 文件：110.45 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400	文件：114.59 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode 文件：114.59 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Package type: leaded\n Package form: T-1\n Dimensions (in mm): Ø 3\n\n ;	Vishay 威世	Vishay
TSAL4400	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向，3mm 直径（T-1）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSAL4400_V02	文件：112.24 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1 • Dimensions (in mm): Ø 3 • Peak wavelength: λp = 940 nm • High reliability • High rad 文件：112.24 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400-RSZ	文件：112.24 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION TSAL4400 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs, MQW technology with high radiant power molded in a blue-gray plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1 • Dimensions (in mm): Ø 3 • Peak wavelength: λp = 940 nm • High reliability • High rad 文件：112.24 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSAL4400_08	文件：110.45 Kbytes Page：5 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 文件：110.45 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

产品属性

产品编号：
TSAL4400
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
16mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.35V
视角：
50°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，3mm 直径（T-1）
描述：
EMITTER IR 940NM 100MA RADIAL

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