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UC2715N	文件：773.37 Kbytes Page：16 Pages	ComplementarySwitchFETDrivers	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
UPA2715GR	文件：339.76 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2715GRisP-ChannelMOSFETdesignedfor powermanagementapplicationsofnotebookcomputers andLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.6mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−9.0A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−9.0A) •L	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2715	文件：148.25 Kbytes Page：12 Pages	1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT 1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthega	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2715T	文件：292.72 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthegainat0.1GHz •Inputandoutputmatching:50: •Supersmallpackage:6pinminimold	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC2715T	文件：148.25 Kbytes Page：12 Pages	1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT 1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. •Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz •Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthega	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2715T	文件：81.49 Kbytes Page：6 Pages	LOWPOWERCONSUMPTIONSILICONMMICAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TRF2715
制造商：
Opnext

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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