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CEA6426	文件：1.77573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel0-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitchesforPortableDevices	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEA6426	文件：417.25 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,3A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-89package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED6426	文件：351.46 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,16A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED6426	文件：451.96 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,16A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS( Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：600.94 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,4.7A,RDS(ON)=66mW@VGS=10V. RDS(ON)=85mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM6426	文件：415.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.7A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6426	文件：407.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,17A,RDS(ON)=66mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=85mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CET6426	文件：409.86 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,4.5A,RDS(ON)=90mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=110mΩ@VGS=4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Leadfreeproductisacquired. ■SOT-223package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

详细参数

型号：
TRB6426
制造商：
TRSYS
制造商全称：
Transys Electronics
功能描述：
RECTIFIER DIODE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	TRB700	TLC(竞沃)	2447	Through Hole P=10.2mm	115000	200个/袋一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	TRB700		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
北京天阳诚业科贸有限公司	TRB700	TLC(竞沃)	24+	con	35960	查现货到京北通宇商城	询价
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天津市博通航睿技术有限公司	TRB700-1	TLC(竞沃)			20		询价
深圳市德力诚信科技有限公司	TRB700-1	TLC(竞沃)	24+	con	2500	国产代理品牌价格交期有优势欢迎询价	询价
北京三盛恒业电子有限公司	TRB800-2	TLC(竞沃)	21+	N/A	2500	进口原装,优势现货	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	TRB81001NLE	TRXCOM	1736+	SOP	15238	原厂优势渠道	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	TRB81006NL	TRC	23+		11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价

更多TRB6426供应商更新时间2025-5-29 15:01:00

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