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DMN22M5UFG	文件：579.61 Kbytes Page：8 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowRDS(ON)–EnsuresOnStateLossesareMinimized SmallFormFactor,ThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts OccupiesJust33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching(UIS)Testin Production	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMN22M5UFG

文件：579.61 Kbytes

Page：8 Pages

20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowRDS(ON)–EnsuresOnStateLossesareMinimized SmallFormFactor,ThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts OccupiesJust33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching(UIS)Testin Production

DIODESDiodes Incorporated

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