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TSHA5200	文件：89.15 Kbytes Page：6 Pages	GaAlAsInfraredEmittingDiodesinø5mm(T–13/4)Package Description TheTSHA520.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Features	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSHF5200	文件：142.84 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,870nm,GaAlAsDoubleHetero Description TSHF5200isahighspeedinfraredlightemittingdiodeinGaAlAsonGaAlAsdoublehetero(DH)technology,moldedoncopperframe,inaclear,untintedplasticpackage. ThenewtechnologycombinesthehighspeedofDHGaAlAswiththeefficiencyofstandardGaAlAsandthelowforwardvo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS5200	文件：112.19 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,950nm,GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TSUS5200	文件：110.99 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,950nm,GaAs DESCRIPTION TSUS5200isaninfrared,950nmemittingdiodeinGaAstechnologymoldedinablue-graytintedplasticpackage. FEATURES •Packagetype:leaded •Packageform:T-1¾ •Dimensions(inmm):Ø5 •Leadswithstand-off •Peakwavelength:λp=950nm •Highreliability •Angleofha	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS5200	文件：109.39 Kbytes Page：5 Pages	InfraredEmittingDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TTC5200	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TTC5200	文件：303.25 Kbytes Page：2 Pages	150WattSiliconEpitaxialPlanarNPNPowerTransistors	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
TTC5200	文件：256.26 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNtriplediffusionplanartransistor15A/230V/150W	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI

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