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TPS53317A数据手册集成电路(IC)的特殊用途稳压器规格书PDF

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厂商型号

TPS53317A

参数属性

TPS53317A 封装/外壳为20-VFQFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的特殊用途稳压器;TPS53317A应用范围:转换器,DDR;产品描述:IC REG CONV DDR 1OUT 20VQFN

功能描述

0.9V 至 6V 输入、6A 输出、D-CAP+ 模式的 SWIFT 同步降压 DDR VTT 转换器

封装外壳

20-VFQFN 裸露焊盘

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 23:01:00

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TPS53317A规格书详情

描述 Description

TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。 该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。 TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。

特性 Features

• 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
• 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
• 外部跟踪
• 最少的外部组件数
• 0.9V 至 6V 转换电压
• D-CAP+ 模式架构
• 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
• 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
• 轻量级负载与重负载下的优化效率
• 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
• 可选过流限制 (OCL)
• 过压、过热和断续欠压保护
• 可调输出电压范围为 0.45V 至 2V
• 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装

应用 Application

用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存储器终端稳压器
VTT终止
用于0.9V至6V输入电源轨的低电压应用

技术参数

  • 制造商编号

    :TPS53317A

  • 生产厂家

    :TI

  • Control mode

    :D-CAP+

  • Iout VTT (Max) (A)

    :6

  • Iq (Typ) (mA)

    :0.32

  • Output

    :VREF

  • Vin (Min) (V)

    :0.9

  • Vin (Max) (V)

    :6

  • Features

    :Eco Mode

  • Rating

    :Catalog

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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