TPS53317数据手册集成电路(IC)的特殊用途稳压器规格书PDF

厂商型号 |
TPS53317 |
参数属性 | TPS53317 封装/外壳为20-VFQFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的特殊用途稳压器;TPS53317应用范围:转换器,DDR;产品描述:IC REG CONV DDR 1OUT 20VQFN |
功能描述 | 适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器 |
封装外壳 | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | TI Texas Instruments |
中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 20:00:00 |
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TPS53317规格书详情
描述 Description
TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。 该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。 TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
特性 Features
• 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
• 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
• 外部跟踪
• 最少的外部组件数
• 1V 至 6V 转换电压
• D-CAP+ 模式架构
• 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
• 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
• 轻量级负载与重负载下的优化效率
• 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
• 可选过流限制 (OCL)
• 过压、过热和断续欠压保护
• 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
• 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装
应用 Application
用于DDR、DDR2、DDR3和DDR4的存储器终端稳压器
VTT终止
用于1V至6V输入电源轨的低电压应用
技术参数
- 制造商编号
:TPS53317
- 生产厂家
:TI
- Control mode
:D-CAP+
- Iout VTT (Max) (A)
:6
- Iq (Typ) (mA)
:0.32
- Output
:VTT
- Vin (Min) (V)
:1
- Vin (Max) (V)
:6
- Features
:Complete Solution
- Rating
:Catalog
- Operating temperature range (C)
:-40 to 85
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI(德州仪器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
TI |
20+ |
VQFN20 |
53650 |
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询价 | ||
TI |
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | |||
TI |
24+ |
VQFN |
20000 |
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TI(德州仪器) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
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TI |
19+ |
VQFN-20 |
3000 |
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询价 | ||
Texas |
25+ |
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TI |
16+ |
VQFN |
10000 |
原装正品 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
2021+ |
VQFN20 |
9598 |
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