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TPS53317

6-A Output, D-CAP Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.92826 Mbytes 页数:35 Pages

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TPS53317

6-A Output, D-CAP Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.9258 Mbytes 页数:35 Pages

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TPS53317

3.3-V/5-V Input, 6-A, D-CAP Mode Synchronous Step-Down Integrated FETs

文件:835.9 Kbytes 页数:25 Pages

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TPS53317

适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器

TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。 该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UV • 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术 \n• 外部跟踪 \n• 1V 至 6V 转换电压\n• 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP\n• 轻量级负载与重负载下的优化效率\n• 可选过流限制 (OCL) \n• 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V\n• 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装;

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TPS53317_15

6-A Output, D-CAP Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.92826 Mbytes 页数:35 Pages

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TPS53317_17

6-A Output, D-CAP Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.9258 Mbytes 页数:35 Pages

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TPS53317A

Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.37228 Mbytes 页数:33 Pages

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TPS53317ARGBR

Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.37228 Mbytes 页数:33 Pages

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TPS53317ARGBT

Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.37228 Mbytes 页数:33 Pages

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TPS53317RGBR

6-A Output, D-CAP Mode, Synchronous Step-Down, Integrated-FET Converter for DDR Memory Termination

文件:1.9258 Mbytes 页数:35 Pages

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技术参数

  • Control mode:

    D-CAP+

  • Iout VTT (Max) (A):

    6

  • Iq (Typ) (mA):

    0.32

  • Output:

    VTT

  • Vin (Min) (V):

    1

  • Vin (Max) (V):

    6

  • Features:

    Complete Solution

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 85

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TPS53317供应商 更新时间2025-10-8 10:12:00