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UM2301	文件：185.04 Kbytes Page：5 Pages	PINDIODE Description UM2300SeriesPINdiodesaredesignedfortransmit/receiveswitchandattenuatorapplicationinLFband(100KHz)andabove.Asseriesconfiguredswitches,theselonglifetime(80mStyp)diodescancontrolupto2.5KWCWina50ohmsystem.InMFband,insertionlossislesstha	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UM2301	文件：279.7 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM2301	文件：2.81601 Mbytes Page：221 Pages	ProductChangeNotification	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
UM2301P	文件：279.7 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM2301P	文件：200.22 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM2301S	文件：200.22 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UM2301S	文件：279.7 Kbytes Page：7 Pages	20VP-ChannelPowerMOSFET	UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc. 英联英联半导体股份有限公司	UNIONSEMI
UNPM2301	文件：1.3347 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
UPG2301TQ	文件：123.05 Kbytes Page：6 Pages	NECsPOWERAMPLIFIERFORBLUETOOHCLASS1 [CEL] DESCRIPTION NECsµPG2301TQisaGaAsHBTMMICforpoweramplifierforBluetoothClass1. Thisdevicerealizeshighefficiency,highgainandhighoutputpowerbyusingInGaPHBT.Thisdeviceishousedinalowprofile10-pinplasticTSONpackage. FEATURES •OPERATIONFREQUENCY fopt	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
UPG2301TQ	文件：227.95 Kbytes Page：12 Pages	GaAsHBTINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Operationfrequency:fopt=2400to2500MHz(2450MHzTYP.) •Supplyvoltage:VCC1,2=Vbias=2.7to3.6V(3.3VTYP.) •Controlvoltage:Vcont=0to3.6V(2.5VTYP.) :Venable=0to3.1V(2.9VTYP.) •Circuitcurrent:ICC=120mATYP.@VCC1,2=Vbias=3.3V,Vc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多TPS2301PW供应商更新时间2025-6-3 12:24:00

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