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UB2012	文件：284.47 Kbytes Page：17 Pages	ADVANCEDLINEARCHARGEMANAGEMENTIC	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ULN2012	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ULN2012	文件：186.29 Kbytes Page：6 Pages	HIGHVOLTAGEHIGHCURRENTDARLINGTONARRAY	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
ULN2012A	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ULN2012L	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs1/4WSINGLECONTROLL-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs쩌WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TPS2012PWR
功能描述：
电源开关 IC - 配电 2.0A 2.7-5.5V Single Hi-Side MOSFET
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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