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UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs 쩌 W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The µPG2012TK is a GaAs MMIC for L-band SPDT (Single Pole Double Throw) switch which were developed for mobile phone and another L-band application. This device can operate frequency from 0.5 GHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and high isolation. This device is hous 文件：306 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2012TK	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Supply voltage : VDD = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.2 V (0 V TYP.) • Low insertion loss : LINS1 = 0.27 dB TYP. @ f = 0.5 to 1.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V : LINS2 = 0.30 dB TYP. @ f = 2. 文件：309.88 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPG2012TK	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH 文件：363.3 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
UPG2012TK	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH 文件：109.58 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2012TK-E2	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	丝印：G3H；GaAs INTEGRATED CIRCUIT FEATURES • Supply voltage : VDD = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.) • Switch control voltage : Vcont (H) = 2.7 to 3.0 V (2.8 V TYP.) : Vcont (L) = −0.2 to +0.2 V (0 V TYP.) • Low insertion loss : LINS1 = 0.27 dB TYP. @ f = 0.5 to 1.0 GHz, VDD = 2.8 V, Vcont = 2.8 V/0 V : LINS2 = 0.30 dB TYP. @ f = 2. 文件：309.88 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPG2012TK-E2	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs 쩌 W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH DESCRIPTION The µPG2012TK is a GaAs MMIC for L-band SPDT (Single Pole Double Throw) switch which were developed for mobile phone and another L-band application. This device can operate frequency from 0.5 GHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and high isolation. This device is hous 文件：306 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2012TK_1	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH 文件：109.58 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2012TK-E2	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BAND SPDT SWITCH 文件：109.58 Kbytes 页数：9 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPG2012TK-E2-A	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH 文件：363.3 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
UPG2012TK	文件：300 bytes Page：1 Pages	NECs ¼ W SINGLE CONTROL L, S-BAND SPDT SWITCH	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
UPG2012TK
功能描述：
RF 开关 IC SPDT Single Switch
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
开关数量：
Single
开关配置：
SPDT
介入损耗：
0.6 dB
截止隔离（典型值）：
43 dB
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PQFN-16
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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