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ULN2012A	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ULN2012L	文件：749.9 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS [SPRAGUE] HIGH-VOLTAGE,HIGH-CURRENTDARLINGTONARRAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UPG2012TB	文件：266.93 Kbytes Page：8 Pages	L-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION ThePG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation.Thisdeviceishousedina	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TB	文件：72.47 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：120.9 Kbytes Page：7 Pages	NECs1/4WSINGLECONTROLL-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TBisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishousedin	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TB	文件：325.3 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2012TK	文件：306 Kbytes Page：7 Pages	NECs쩌WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2012TKisaGaAsMMICforL-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)switchwhichweredevelopedformobilephoneandanotherL-bandapplication. Thisdevicecanoperatefrequencyfrom0.5GHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolation. Thisdeviceishous	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TK	文件：109.58 Kbytes Page：9 Pages	L-BANDSPDTSWITCH	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2012TK	文件：363.3 Kbytes Page：8 Pages	WSINGLECONTROLL,S-BANDSPDTSWITCH	CEL California Eastern Labs	CEL
UPG2012TK	文件：309.88 Kbytes Page：11 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VDD=2.7to3.0V(2.8VTYP.) •Switchcontrolvoltage:Vcont(H)=2.7to3.0V(2.8VTYP.) :Vcont(L)=−0.2to+0.2V(0VTYP.) •Lowinsertionloss:LINS1=0.27dBTYP.@f=0.5to1.0GHz,VDD=2.8V,Vcont=2.8V/0V :LINS2=0.30dBTYP.@f=2.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
TPS2012DR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
2.7V ~ 5.5V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1A
导通电阻（典型值）：
75 毫欧
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR SWITCH N-CHAN 1

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