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TPN4R303NL中文资料Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TPN4R303NL

功能描述

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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TPN4R303NL规格书详情

描述 Description

Application Scope:High efficiency DC/DC converters / Switching regulators
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:马来西亚

特性 Features

Drain current ID 63 A
Power Dissipation PD 34 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TPN4R303NL

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :N-ch

  • VDSS(V)

    :30

  • VGSS(V)

    :+/-20

  • ID(A)

    :63

  • PD(W)

    :34

  • Ciss(pF)

    :1110

  • Qg(nC)

    :14.8

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V

    :0.0063

  • RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V

    :0.0043

  • Number of pins

    :8

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :TSON Advance

  • Generation

    :U-MOSⅧ-H

  • Type

    :High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm)

    :3.3 x 3.3 x 0.85

  • Package Size(mm^2)

    :10.89

  • Drive voltage type

    :Logic-Level Gate Drive

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