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TPN4R203NC中文资料Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)数据手册Toshiba规格书
TPN4R203NC规格书详情
描述 Description
Application Scope：Lithium-Ion secondary batteries / Power management switches
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅧ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 53 A
Power Dissipation PD 22 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：TPN4R203NC
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：30
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：53
- PD(W)
：22
- Ciss(pF)
：1370
- Qg(nC)
：24
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.0064
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.0042
- Number of pins
：8
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：TSON Advance
- Generation
：U-MOSⅧ
- Width×Length×Height(mm)
：3.3 x 3.3 x 0.85
- Package Size(mm^2)
：10.89
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
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