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TPN2010FNH中文资料Power MOSFET (N-ch 150V VDSS 250V)数据手册Toshiba规格书
TPN2010FNH规格书详情
描述 Description
Application Scope：High efficiency DC/DC converters / Switching regulators
Polarity：N-ch
Generation：U-MOSⅧ-H
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：马来西亚
特性 Features
Drain current ID 9.9 A
Power Dissipation PD 39 W
Drain-Source voltage VDSS 250 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 制造商编号
：TPN2010FNH
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：N-ch
- VDSS(V)
：250
- VGSS(V)
：+/-20
- ID(A)
：9.9
- PD(W)
：39
- Ciss(pF)
：460
- Qg(nC)
：7.0
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.198
- Number of pins
：8
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：TSON Advance
- Generation
：U-MOSⅧ-H
- Type
：High-speed switching
- Width×Length×Height(mm)
：3.3 x 3.3 x 0.85
- Package Size(mm^2)
：10.89
- Drive voltage type
：10V Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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