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TPM1919-60

MICROWAVE POWER GAAS FET

FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 13 dB at 1.9 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:120.76 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TPM1919-60

MICROWAVE POWER GAAS FET

Toshiba

东芝

TPN11003NL,LQ(S

TPN5900CNHL1Q

BGA

TPP2020-6TR

SOT23-6

详细参数

  • 型号:

    TPM1919-60

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET PARTIALLY MATCHED, 1GHZ, 185W - Trays

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA/东芝
2019+
SMD
6992
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23+
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TOSHIBA/东芝
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TO-59
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23+
SMD
11200
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更多TPM1919-60供应商 更新时间2026-1-31 16:04:00