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TPM1919-60中文资料东芝数据手册PDF规格书

TPM1919-60
厂商型号

TPM1919-60

功能描述

MICROWAVE POWER GAAS FET

文件大小

120.76 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Toshiba Semiconductor
企业简称

TOSHIBA东芝

中文名称

株式会社東芝官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 22:30:00

TPM1919-60规格书详情

FEATURES :

■ HIGH POWER

P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz

■ HIGH GAIN

G1dB = 13 dB at 1.9 GHz

■ PARTIALLY MATCHED TYPE

■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

产品属性

  • 型号:

    TPM1919-60

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET PARTIALLY MATCHED, 1GHZ, 185W - Trays

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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