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TPM2323-60

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■ HIGH POWER P1dB=48.0dBm at 2.4GHz ■ HIGH GAIN G1dB=10.0dB at 2.4GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

文件:160.94 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TPM2323-60

MICROWAVE POWER GaAs FET TPM2323-60

文件:172 Kbytes 页数:4 Pages

TOSHIBA

东芝

TPM2323-60

MICROWAVE POWER GaAs FET

Toshiba

东芝

TPN11003NL,LQ(S

TPN5900CNHL1Q

BGA

详细参数

  • 型号:

    TPM2323-60

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans JFET 15V 26A 3-Pin 2-16G6A

  • 功能描述:

    TRANSISTOR, GAAS FET PARTIALLY MATCHED, 2GHZ, 185W - Trays

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
24+
SMD
1680
一级代理原装进口现货
询价
TOSHIBA/东芝
24+
2-16G1B
137
现货供应
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TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
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TOSHIBA
21+
标准封装
50
进口原装,订货渠道!
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3PEAK
25+
WSOP6
68000
思瑞浦全线售卖,支持终端生产
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3PEAK/思瑞浦
25+
13250
原装正品现货供应商原厂货源渠道订货
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3PEAK(思瑞浦)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
Eaton
22+
NA
168
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
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46000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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TECH PUBLIC(台舟)
23+
SOT-23-3L
2930
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
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更多TPM2323-60供应商 更新时间2026-1-30 17:26:00