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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TPM2626-30 | MICROWAVE POWER GAAS FET FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 45.5 dBm at 2.6 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 11.5 dB at 2.6 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE 文件：198.01 Kbytes 页数：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
TPM2626-30 | MICROWAVE POWER GAAS FET | Toshiba 东芝 | Toshiba | |
GaN Hybrid Power Amplifier 文件：274.41 Kbytes 页数：8 Pages | RFHIC | RFHIC | ||
TOSHIBA | ||||
BGA | TOSHIBA |
详细参数
- 型号：
TPM2626-30
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全称：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
MICROWAVE POWER GAAS FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
122 |
现货供应 |
询价 | |||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SMD |
1680 |
一级代理原装进口现货 |
询价 | ||
TOSHIBA |
21+ |
标准封装 |
50 |
进口原装,订货渠道! |
询价 | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
TECH PUBLIC(台舟) |
23+ |
SOT-563 |
3000 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
询价 | ||
3PEAK |
22+ |
DFN4X4-8,EMSOP8,SOP8 |
68000 |
思瑞浦全线售卖,支持终端生产 |
询价 | ||
3PEAK |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
询价 | ||
3PEAK |
两年内 |
NA |
18000 |
实单价格可谈 |
询价 | ||
3PEAK(思瑞浦) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 |
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更新时间2025-12-13 13:26:00
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