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TPH2R306NH1

MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=26nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=91nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=1.9mΩ(typ.)(VGS=10V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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更多TPH2R306NH1,LQ供应商 更新时间2024-9-20 8:50:00