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4102UE	文件：155.75 Kbytes Page：2 Pages	Security&Sound,4Conductor14AWGBC,LSZH ProductDescription Security&CommercialAudioCable,4-14AWGstranded(19x27)barecopperconductorswithpolyolefininsulation,FRNC/LSZHjacketwithripcord.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN
ACE4102E	文件：632.15 Kbytes Page：9 Pages	2.5A,3MHzSwitchingChargerwithDynamicPowerPathManagement	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE
ACMD-4102	文件：256.04 Kbytes Page：12 Pages	UMTS/NCDMA/Co-bandGSMRxBand2Duplexer	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
AM4102	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM4102DR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AM4102DVR	文件：752 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. AM4102isavailableinaTO252-2package. FEATURES VDS=30V,ID=50A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
AN4102	文件：174.36 Kbytes Page：16 Pages	Introducingthelow-powerconceptinautomotiveapplicationsusingtheSTM8ALboardoftheSTM8A-DISCOVERY	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
AOD4102	文件：151.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD4102/AOI4102usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary VDS30V I	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4102	文件：296.66 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4102	文件：309.32 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=19A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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