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TPCP8701(TE85L,F,M	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：8-SMD，扁平引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
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8701	文件：1.23831 Mbytes Page：14 Pages	MassFlowMeterforGases(MFM) Themassflowmeter(MFM)type8701issuitedformeasuringthemassflow ofgasesoverabigflowrange.ThethermalMEMSsensorislocateddirectly inthegasstreamandthereforereachesveryfastresponsetimes.Type8701 canoptionallybecalibratedfortwodifferentgases;theusercansw	BURKERTChristian Bürkert GmbH & Co. KG 宝帝流体控制系统宝帝流体控制系统（上海）有限公司	BURKERT
8701CYILF	文件：341.61 Kbytes Page：15 Pages	LowSkew,÷1,÷2ClockGenerator FEATURES •TwentyLVCMOSoutputs,7Ωtypicaloutputimpedance •LVCMOS/LVTTLclockinput •Maximuminputfrequency:250MHz •Bankenablelogicallowsunusedbankstobedisabled inreducedfanoutapplications •Bankskew:200ps •Outputskew:250ps •Multiplefrequencyskew:300ps •Par	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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A8701CKN	文件：509.3 Kbytes Page：10 Pages	CMOS8-BitMicrocontroller Features 8bitsinglechipmicrocomputerTLCS-870Series Instructionexecutiontime:0.5us(At8MHz) 412basicinstructions MultiplicationandDivision(8bitsx8bits,16bits+8bits) :Instructionexecutiontime3.5us(At8MHz) Bitmanipulations(Set/Clear/Complement/Move/Test/Excl	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
ACT8701	文件：73.8 Kbytes Page：2 Pages	FourChannelIntegratedPowerManagementICforHandheldPortableEquipment GENERALDESCRIPTION Thepatent-pendingACT8701isacomplete,cost-effective,highly-efficientActivePMUTMpowermanagementsolutionthatisidealforawiderangeofportablehand-heldequipment.Thisdeviceintegratestwostep-downDC/DCconverters,onestep-upDC/DCconverterwithover-voltage	ACTIVE-SEMI Active-Semi International Inc.	ACTIVE-SEMI
ADD8701	文件：289.94 Kbytes Page：8 Pages	12-ChannelGammaBufferswithVCOMBuffer GENERALDESCRIPTION TheADD8701isalowcost,12-channelbufferamplifierandVCOMdriverthatoperatesfromasinglesupply.ThepartisdesignedforhighresolutionTFTLCDpanels,andisbuiltonanadvanced,highvoltage,CBCMOSprocess.Thebuffershavehighslewrate,10mAcontinuousou	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ADD8701ACP	文件：289.94 Kbytes Page：8 Pages	12-ChannelGammaBufferswithVCOMBuffer GENERALDESCRIPTION TheADD8701isalowcost,12-channelbufferamplifierandVCOMdriverthatoperatesfromasinglesupply.ThepartisdesignedforhighresolutionTFTLCDpanels,andisbuiltonanadvanced,highvoltage,CBCMOSprocess.Thebuffershavehighslewrate,10mAcontinuousou	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AM-8701	文件：40.33 Kbytes Page：2 Pages	AmorphousSolarCell	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
AO8701	文件：125.69 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AO8701L	文件：125.69 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistorwithSchottkyDiode	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DRV8701	文件：1.76161 Mbytes Page：42 Pages	DRV8701BrushedDCMotorFull-BridgeGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
DRV8701ERGER	文件：1.76161 Mbytes Page：42 Pages	DRV8701BrushedDCMotorFull-BridgeGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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DRV8701PRGET	文件：1.76161 Mbytes Page：42 Pages	DRV8701BrushedDCMotorFull-BridgeGateDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
TPCP8701(TE85L,F,M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
140mV @ 20mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 300mA，2V
功率 - 最大值：
1.77W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
PS-8
描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPCP8701(TE85L,F,M供应商更新时间2024-5-24 15:00:00

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