TPCP8701(TE85L,F,M_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
TPCP8701(TE85L,F,M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列
封装外壳：
8-SMD，扁平引线
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-25 8:24:00

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原厂料号：TPCP8701(TE85L,F,M品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

TPCP8701(TE85L,F,M是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装8-SMD，扁平引线的TPCP8701(TE85L,F,M晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
tpcp8701(te85l,f,m
规格书：
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资料说明：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

产品属性

类型
描述
产品编号：
TPCP8701(TE85L,F,M
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 NPN（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
电压 - 集射极击穿（最大值）：
80V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
140mV @ 20mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 300mA，2V
功率 - 最大值：
1.77W
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
PS-8
描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

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