BC856B/DG/B4VL_分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列-安世

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厂家型号：
BC856B/DG/B4VL
制造商：
NEXPERIA/安世
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列
包装：
散装
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-25 16:01:00

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原厂料号：BC856B/DG/B4VL品牌：Nexperia USA Inc.

资料说明：TRANSISTOR GEN PURP

BC856B/DG/B4VL是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列。制造商NEXPERIA/安世生产封装的BC856B/DG/B4VL晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列双极晶体管阵列在同一封装中包含两个或更多的分立晶体管，这些晶体管可在电气上完全隔离，也可在器件封装内部以某种形式互连。阵列中包含的器件具有相近或互补的特性，采用共同封装可最大程度减小器件在工作过程中的温差。

芯片型号：
bc856b/dg/b4vl
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
NEXPERIA【安世】详情
中文名称：
安世半导体(中国)有限公司
资料说明：
TRANSISTOR GEN PURP

产品属性

类型
描述
产品编号：
BC856B/DG/B4VL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
包装：
散装
晶体管类型：
2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
功率 - 最大值：
250mW
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
描述：
TRANSISTOR GEN PURP

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BC856B/DG/B4VL

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