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DRV8305	文件：1.27838 Mbytes Page：59 Pages	ThreePhaseGateDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRV8305NPHP	文件：1.27838 Mbytes Page：59 Pages	ThreePhaseGateDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRV8305NPHPR	文件：1.27838 Mbytes Page：59 Pages	ThreePhaseGateDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ECH8305	文件：39.18 Kbytes Page：3 Pages	General-PurposeSwitchingDevice Features •LowON-resistance. •4Vdrive.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8305	文件：40.45 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8305	文件：607.88 Kbytes Page：20 Pages	5to25V,VOUT=1.2to22V,2-channelDC-DCControllerICwithStepdownregulation FEATURES 2-channelDC-DCStepDownRegulatorCircuitthat employsVoltageModeSwitchingControlSystem Internalreferencevoltageiswithin2accuracy InputVoltageRange:VCC:5V~25V AdjustableOutputVoltageRangewithexternal Resistor:1.2V~22V(Note) AdjustableSw	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
EG8305	文件：660.33 Kbytes Page：11 Pages	SIngle-channelD	EGMICROJingjing Microelectronics Co., Ltd 屹晶微电子屹晶微电子有限公司	EGMICRO
EP8305	文件：23.39 Kbytes Page：1 Pages	14PinDIP10TapTTLCompatibleActiveDelayLines	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
EP8305-RC	文件：23.39 Kbytes Page：1 Pages	14PinDIP10TapTTLCompatibleActiveDelayLines	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
FDR8305	文件：215.81 Kbytes Page：8 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Features •4.5A,20V.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
TPCF8305LF(J
功能描述：
MOSFET P-Ch -20V FET 1.35W -4A 680pF
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPCF8305LF(J供应商更新时间2025-7-29 11:10:00

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