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TPCF8103	文件：264.38 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：82.4 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U竊뛏OS?? SwitchingApplications DC-DCConverterApplications •HighDCcurrentgain:hFE=100to300(IC=0.3A) •Lowcollector-emittersaturation:VCE(sat)=0.2V(max) •High-speedswitching:tf=100ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8103	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：253.51 Kbytes Page：7 Pages	HighEfficiencyDC-DCConverterApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplicationsCCFLInverterApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：212.63 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(UltraHighspeedU-MOSIII) HighEfficiencyDC-DCConverterApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications CCFLInverterApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Highspeedswitching •Smallgatecharge:QSW=6.5nC(typ.) •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=31	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8103-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TQ8103	文件：194.26 Kbytes Page：9 Pages	622Mb/sClock&DataRecovery TheTQ8103isamonolithicclockanddatarecovery(CDR)ICthatreceivesNRZdata,extractsthehigh-speedclock,andpresentstheseparateddataandclockasitsoutputs.ThisdeviceisdesignedspecificallyforSONETOC-12andSDHSTM-4applicationsat622Mb/s. Features •Single-chipCDRcir	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
UH8103	文件：152.1 Kbytes Page：4 Pages	HALLEFFECTMICROSWITCHIC	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPC8103	文件：162.17 Kbytes Page：26 Pages	MIXEROSCILLATORICFORPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8103TandµPC8108Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasmixer-oscillatorseriesforpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,theseICsaresuitableforlowvoltagepagersystem.TheseICsarepackagedin6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8103T	文件：162.17 Kbytes Page：26 Pages	MIXEROSCILLATORICFORPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8103TandµPC8108Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasmixer-oscillatorseriesforpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,theseICsaresuitableforlowvoltagepagersystem.TheseICsarepackagedin6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TPCC8103(TE12L,Q)
功能描述：
MOSFET MOSFET, P-ch, -30V, -18A, TSON-ADV
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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