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TPCF8303	文件：230.53 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIV)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8303	文件：118.98 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIV) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=43mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6.0S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−20V) •Enhancement-model:Vth=−0.45to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8303	文件：228.08 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8303	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TPCS8303	文件：227.83 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableMachinesandTools •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=15mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=18S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
TPC8303(TE12L)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 30V 4.5A 8-Pin SOP T/R

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