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TPCS8208	文件：205.63 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=13mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=15S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

LithiumIonBatteryApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=13mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=15S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) •Enhancementmode:Vth=0.5~1.2V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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详细参数

型号：
TPC8208(TE12L_Q_M)
功能描述：
MOSFET N-ch 20V 5A 0.050 ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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