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API8208	文件：174.91 Kbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM GENERALDESCRIPTION API8208Aisahighqualityvoicesynthesizercapableofvaryingplaybackduration.AproprietaryADPCMalgorithmisused.Theaudiomessageisstoredina512Kbitson-chipEPROMwhichcanstoreupto20secondsofvoicedataat6KHzsamplerate. FEATURES •Develop	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
API8208A	文件：174.91 Kbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM GENERALDESCRIPTION API8208Aisahighqualityvoicesynthesizercapableofvaryingplaybackduration.AproprietaryADPCMalgorithmisused.Theaudiomessageisstoredina512Kbitson-chipEPROMwhichcanstoreupto20secondsofvoicedataat6KHzsamplerate. FEATURES •Develop	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
API8208G	文件：42.34 Kbytes Page：2 Pages	OTPVOICESERIES Features: ●2.4~5.5Vsinglepowersupplyoperation ●5bitASPCMCoding ●20secondvoicelengthat6KHZ ●Combinationofvoicebuildingblocks ●8sectionsMax. ●Supportvoicerecordedandmelody(midiformat)	APLUS Aplus Intergrated Circuits	APLUS
APL8208	文件：2.14809 Mbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
APL8208A	文件：2.14809 Mbytes Page：10 Pages	VERSATILE20SECINSTANTVOICEROM	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BY8208	文件：87.75 Kbytes Page：12 Pages	Ultrafasthigh-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifiers DESCRIPTION Plasticpackage,usingglasspassivationandahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageshouldbeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
CEG8208	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,6.5A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V. ■SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TSSOP-8forSurfaceMountPackage. ■ESDProtected:HB	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEG8208	文件：655.08 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,6.5A,RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mW@VGS=2.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. Leadfreeproductisacquired. ESDProtected:HBM2000V	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM8208	文件：1.92486 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM8208	文件：396.85 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,7A,RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage. ■Leadfreeproductisacquired. ■ESDProtected:2000V	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

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详细参数

型号：
TPC8208(TE12L_Q_M)
功能描述：
MOSFET N-ch 20V 5A 0.050 ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
艾睿国际（香港）有限公司	TPC8208(TE12L,Q,M)	TOSHIBA/东芝	2447	SOP-8	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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更多TPC8208(TE12L_Q_M)供应商更新时间2025-7-12 15:01:00

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