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CEM8208	文件：396.85 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 20V, 7A, RDS(ON) = 22mΩ @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32mΩ @VGS = 2.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired. ■ ESD Protected: 2000 V 文件：396.85 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEM8208	文件：609.52 Kbytes Page：4 Pages	Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 20V, 7A, RDS(ON) = 22mW @VGS = 4.5V. RDS(ON) = 32mW @VGS = 2.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is acquired. ESD Protected: 2000 V 文件：609.52 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEM8208	文件：1.92486 Mbytes Page：5 Pages	Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.92486 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEM8208	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CEM8208供应商更新时间2025-12-12 14:13:00