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DMT6009LPS

60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DMT6009LSS

60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DMTH6009LPS

N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

EM6009-FC

OmnidirectionalFrontElectretCondenserMicrophone

SOBERTON

Soberton Inc.

EPE6009S

10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation

10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation •GeneralPurpose10Base-TFilterModule •ComplieswithorexceedsIEEE802.3,10Base-TStandards

PCA

PCA ELECTRONICS INC.

EPE6009S

10Base-TInterfaceModule

PCA

PCA ELECTRONICS INC.

HA6009

9.0-10.0GHzDriverAmplifier

HBH

HBH Microwave GmbH

ISUM6009

DiodePowerModule

DESCRIPTION ·Insidefastfree-wheelingdiode ·Diodeespeciallyforbrakechoppers ·Packagewithinsulatedmetalbaseplate

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

KBJ6009

6.0AGLASSPASSIVATEDBRIDGERECTIFIER

ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

LMC6009

9ChannelBufferAmplifierforTFT-LCD

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

详细参数

  • 型号:

    TPC6009-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 40V FET 5.3A 2.2W 225pF

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TPC6009-H供应商 更新时间2025-7-25 15:14:00