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TPBCP55-16	文件：1.70685 Mbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BC55-16PA	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC55-16PA	文件：250.77 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity •LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC55-16PAS	文件：1.40185 Mbytes Page：14 Pages	45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits HighcollectorcurrentcapabilityICand ICM Threecurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC55-16PAS	文件：1.40285 Mbytes Page：14 Pages	45V/60V/80V,1ANPNmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55-16	文件：48.04 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP55-16	文件：530.52 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistors	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP55-16	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55-16	文件：43.44 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.PNPcomplements:BCP51,BCP52andBCP53. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Switching.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCP55-16	文件：131.42 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP51…BCP53(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BCP55-16	文件：489.81 Kbytes Page：2 Pages	1A,60VNPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BCP55-16	文件：480.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BCP55-16	文件：827.56 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP51...BCP53(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BCP55-16	文件：1.70594 Mbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟電子台舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
BCP55-16-C	文件：329.82 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor FEATURES •ForAFDriverandOutputStages •HighCollectorCurrent •LowCollector-EmitterSaturationVoltage	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
BCP55-16-Q	文件：247.94 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •Highcurrent •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55-16T	文件：273.32 Kbytes Page：14 Pages	60V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP55-16T	文件：274.26 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX55-16	文件：241.45 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors 1.Generaldescription NPNmediumpowertransistorsinaSOT89(SC-62)flatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. Table1.Productoverview TypenumberPackage NexperiaJEITA NPNcomplement BCX55BCX52 BCX55-10BCX52-10 BCX55-16 SOT89SC-62 BCX52-16 2.Featuresandbenef	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX55-16	文件：1.98381 Mbytes Page：22 Pages	60V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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更多TPBCP55-16供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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